PIN photodiode.

摘要

La présente invention concerne une nouvelle photodiode PIN formée d'une microplaquette semi-conductrice présentant une région P plane et épaisse séparée d'une région N plane par une région I plane et mince, comportant des moyens (21) assurant l'admission directe de l'énergie lumineuse à la région I dans une direction parallèle à l'orientation plane de la région I et des moyens électriquement conducteurs (22) et (23) en contact avec les régions P et N pour assurer la connexion de la photodiode PIN aux circuits électroniques formés sur ladite microplaquette semi-conductrice ou sur tout autre élément similaire. Cette disposition permet d'obtenir une réponse élevée dans une large gamme de longueurs d'onde lumineuse, grâce à la grande dimension de la région I dans la direction de la lumière incidente, tout en conservant un temps de transit réduit grâce à la faible épaisseur de cette même région I.