DISPOSITIVI DI MEMORIA NON VOLATILE CON STRUTTURA ISOLANTE A BANDA VUOTA GRADUATA O A GRADINI.

摘要

Element de mémoire constitué par une structure semiconductrice effet de champ du type métal-isolant-semiconducteur à isolant successif (SIMIS) ou graduel (GIMIS) comportant une region de porte située entre des régions de drain et de source N<+><+>. L'isolant de la région de porte est constitué par une couche épaisse de SiO2 thermique recouverte de plusieurs couches minces de SiO2 ou Si3N4 pyrolytiques. Cette structure isolante a un intervalle de bande graduel permettant l'injection de trous ou d'électrons à partir de l'interface isolant-électrode@ de porte tout en bloquant l'injection d'electrons à partir de l'autre interface de l'isolant. Une couche de piégeage est réalisée dans la couche de SiO2 thermique pour capturer tous les trous ou électrons. Cette structure semi-conductrice est utilisée dans les systèmes de memoire de calculateur.