摘要 |
<P>a. Mémoire semi-conductrice. </P><P>b. Mémoire caractérisée par un premier moyen de précharge commandée d'un premier noeud, des moyens pour coupler de façon commandée chaque seconde ligne verticale au premier noeud, des troisièmes moyens pour coupler de façon commandée les lignes verticales intermédiaires au noeud de sortie et des quatrièmes moyens pour précharger les lignes verdcales.</P>
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