| 摘要 |
<P>L'invention concerne une cellule de mémoire à semiconducteurs comportant des conducteurs de commande possédant une conductivité élevée. </P><P>Dans une mémoire à semiconducteurs comportant des cellules de mémoire commandées par des conducteurs de commande et formées par un transistor de sélection MOS et par un condensateur de mémoire disposés sur un substrat semiconducteur SU, sur laquelle on dépose une couche isolante IS, on met en place une couche de siliciure SZ sur les conducteurs de commande en polyosilicium PS. </P><P>Application notamment aux mémoires à cellules à un transistor réalisées suivant la technique à portes de silicium.</P>
|
