发明名称 |
一种具多重保护层的有机半导体元件及其制作方法 |
摘要 |
本发明涉及一种具多重保护层的有机半导体元件,其特点在于,包括有:有机薄膜晶体管;第一保护层,形成于该有机薄膜晶体管上;及第二保护层,通过图案化过程形成于该第一保护层上,且该第二保护层的厚度足以作为间隙材料。本发明通过图案化的方式将第二保护层形成于第一保护层上,以制作有机薄膜晶体管的多重保护层,此多重保护层不但可有效保护有机薄膜晶体管,其第二保护层还可同时作为间隙材料,而取代后续配置间隙材料的制作,并且第二保护层也可兼作为保护层与平坦层的功用,来取代平坦层的制作,从而实现简化制作过程与降低成本的目的。 |
申请公布号 |
CN100502085C |
申请公布日期 |
2009.06.17 |
申请号 |
CN200510064321.9 |
申请日期 |
2005.04.14 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 |
发明人 |
谢丞忠;黄良莹;胡堂祥;李正中 |
分类号 |
H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/05(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
梁 挥;祁建国 |
主权项 |
1、一种具多重保护层的有机半导体元件,其特征在于,包括有:一有机薄膜晶体管;一第一保护层,形成于该有机薄膜晶体管上;及一第二保护层,为一可显影材料,通过一图案化过程形成于该第一保护层上,且该第二保护层作为间隙材料,其厚度为4微米以上。 |
地址 |
台湾省新竹县 |