| 摘要 |
La présente invention concerne un nouveau procédé de sillonnage et de glassiviation et une nouvelle structure de sillon. Selon ce procédé, des sillons de séparation entre pastilles élémentaires d'une tranche semi-conductrice comprennent une partie centrale profonde 10 et des parties latérales moins profondes 11. Ces sillons ont en coupe la forme d'une double cuvette, la cuvette interne étant plus profonde que la cuvette externe. On évite ainsi la pénétration d'une métallisation 5 dans la zone de jonction entre des couches 2 et 3 que le sillon 10 vise à passiver. Application à la fabrication des diodes, transistors, thyristors, triacs et autres dispositifs à semi-conducteurs.
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