| 摘要 |
본 발명은 자장 제어를 통한 플라즈마 쉐이핑이 가능한 플라즈마 처리 장치로서, 기판이 장착되는 내부 공간이 형성된 진공 챔버; 상기 챔버의 상부에 위치되어 상기 챔버의 내부 공간에 플라즈마를 발생시키는 안테나; 상기 챔버의 하부에 배치되며 하나 이상의 전자석 코일을 포함하는 제1 자장 발생부 및 상기 챔버의 측면에 배치되는 하나 이상의 전자석 코일을 포함하는 제2 자장 발생부를 포함하는 자장 발생부; 및 상기 챔버 내부에 장착된 상기 기판의 중심을 기준으로 상기 챔버 내의 유효 플라즈마 공간 상에서, 수평 공간 상의 외측 방향으로 갈수록 자기장의 세기를 지속적으로 증가시키고, 수직 공간 상의 상측 방향으로 갈수록 자기장의 세기를 증가시키도록 상기 자장 발생부의 상기 각각의 전자석 코일에 입력되는 전류를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 본 발명에 의하면 챔버 내부 공간 전체적으로 플라즈마의 균일도를 향상시킴으로써 기판의 외곽 부근에서도 신뢰도 높은 플라즈마 공정이 수행될 수 있으며, 특히 대면적의 기판에 대한 플라즈마 공정을 보다 안정적으로 수행할 수 있게 된다. |
