| 摘要 |
동적 랜덤 접속 메모리(DRAM)로 구성되는 직접 연결된 양면 메모리(DIMM, dual in line memory) 카드 및 예를 들어, 상변화 메모리(PCM, phase change memory), 저항형 RAM(ReRAM), 스핀주입 자화 반전 메모리(STT-RAM, spin transfer-torque RAM), 및 NAND 플래시 칩들인 적어도 하나의 비휘발성 메모리를 포함하는, 강화된 고체-상태 스토리지 클래스 메모리(eSCM)를 구현하기 위한 방법 및 스토리지 시스템이 제공된다. eSCM 프로세서는 주로 데이터 세트 사이즈를 기반으로 DRAM 및 적어도 하나의 비휘발성 메모리 사이의 데이터의 선택적 할당을 제어한다. |
