Solution for the etching of silicon wafers having a well-defined etching rate and method resulting therefrom.

摘要

Solution et procédé de décapage de tranches de silicium. Une solution quaternaire comprenant de l'éthylène-diamine, de l'eau, de la pyrocatéchine et une quantité prédéterminée d'une diazine, permet d'obtenir une vitesse contrôlée de décapage. Dans une réalisation préférée la solution comprend de 700 à 800ml d'éthymène-diamine, de 200 à 250ml d'eau, de 100 à 150g de pyrocatéchine et de 2 à 4g de diazine par litre d'éthylène-diamine. Il semble difficile d'utiliser plus de 4g de diazine par litre en raison de la présence lors du décapage de résidus insolubles, malgré l'accroissement sensible de la vitesse de décapage. Les diazines préférées sont la 1,2-diamine et la 1,4-diazine. L'invention peut être ultilsée pour fabriquer des buses en silicium pour des imprimantes à jet d'encre ou des transistors à effet de champ de type V-MOS.