ETCHING METHOD OF SILICON SUBSTRATE,申请号JP19780046318-传众专利搜索

发明名称	ETCHING METHOD OF SILICON SUBSTRATE
摘要
申请公布号	JPS54137975(A)	申请公布日期	1979.10.26
申请号	JP19780046318	申请日期	1978.04.18
申请人	MATSUSHITA ELECTRONICS CORP	发明人	FUJII KAZUO;TOMIOKA TAKASHI
分类号	H01L21/306;H01L21/302;H01L21/308	主分类号	H01L21/306
代理机构		代理人
主权项
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