METHOD OF MEASURING PARAMETERS OF BOUNDARY STATES IN THE VICINITY OF INTERFACE OF SEMICONDUCTOR-DIELECTRIC,申请号SU19762410010-传众专利搜索

发明名称	METHOD OF MEASURING PARAMETERS OF BOUNDARY STATES IN THE VICINITY OF INTERFACE OF SEMICONDUCTOR-DIELECTRIC
摘要
申请公布号	SU693272(A1)	申请公布日期	1979.10.25
申请号	SU19762410010	申请日期	1976.10.05
申请人	INST RADIOTEKHNIKI ELEKTRONIKI AN SSSR	发明人	ALEKSANDROV ANATOLIJ L,SU;ZHDAN ALEKSANDR G,SU;LUSHNIKOV NIKOLAJ A,SU;CHENSKIJ EVGENIJ V,SU
分类号	G01R31/26;(IPC1-7):G01R31/26	主分类号	G01R31/26
代理机构		代理人
主权项
地址

您可能感兴趣的专利