| 发明名称 |
CIRCUIT INTEGRE ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| 摘要 |
<P>L'invention a pour objet un circuit intégré et son procédé de fabrication. </P><P>Ce circuit est composé d'éléments actifs déposés sur des portions de couche de type n isolées les unes des autres par un substrat en arséniure de gallium semi-isolant. Ils sont interconnectés par deux nappes de conducteurs; la nappe inférieure prend contact sur les contacts ohmiques Schottky appartenant aux portions de couche, et est séparée du substrat par une couche de silice d'épaisseur inférieure à 1 000 Angströms. La nappe supérieure est séparée de la précédente par une couche de silice beaucoup plus épaisse qui assure l'isolation électrique et la protection de contacts Schottky. </P><P>L'invention s'applique à la fabrication des circuits intégrés.</P>
|
| 申请公布号 |
FR2419586(A1) |
申请公布日期 |
1979.10.05 |
| 申请号 |
FR19780006673 |
申请日期 |
1978.03.08 |
| 申请人 |
THOMSON CSF |
发明人 |
GERARD NUZILLAT ET CHRISTIAN ARNODO;ARNODO CHRISTIAN |
| 分类号 |
H01L21/338;H01L21/768;H01L27/06;H01L29/20;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/90;H01L23/52 |
主分类号 |
H01L21/338 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
