| 摘要 |
<P>L'invention se rapporte au domaine des transistors à effet de champ à grille isolée, de type MOS à canal N. </P><P>Le procédé de fabrication de ces transistors, qui comprennent sur un substrat semi-conducteur une grille de commande 14 et des régions de source 12, de drain 13 et un canal 15, 16, comprend une étape caractéristique de création de ces trois régions par diffusion simultanée d'impuretés à partir de sources 20 de silicium polycristallin dopé des deux types d'impureté, ces sources étant ensuite conservées pour constituer les électrodes de contact des régions crées avec les prises extérieures 50. </P><P>Les applications sont celles des circuits intégrés monolithiques à haute densité d'intégration.</P>
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