| 发明名称 |
INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING TRIODE CHARACTERISTICS AND METHOD OF FABRICATING SAME |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS54118180(A) |
申请公布日期 |
1979.09.13 |
| 申请号 |
JP19780025687 |
申请日期 |
1978.03.07 |
| 申请人 |
PIONEER ELECTRONIC CORP |
发明人 |
HIRASHIMA KUNIHIKO;SATOU SUSUMU |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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