PROCEDE DE FABRICATION D'UN LASER A HETEROSTRUCTURE

摘要

Procédé de fabrication d'un laser à hétérostructure où la jonction p-n de laser est formée dans une structure constituée d'une pain de couches de conductivité opposée à croissance par épitaxie en phase liquide comportant entre elles une certaine quantité de matériau actif ayant un indice de réfraction plus élevé et un plus faible intervalle de bande.

La croissance des couches se fait sur un substrat comportant une gorge dans sa surface dans des conditions telles que le matériau actif est plus épais dans la région recouvrant le centre de la gorge que partout ailleurs, et un dopant est déplacé à travers l'une des couches pour transférer les parties de la jonction p-n ne recouvrant pas la gorge dans le matériau de l'autre couche, tout en laissant la partie de la jonction p-n recouvrant le centre de la gorge limité sur au moins un côté par le matériau actif à plus faible intervalle de bande. Application à la fabrication des lasers.