| 摘要 |
<P>Procédé de fabrication d'un monocristal de composé III-V par fonte d'une charge de polycristal et cristallisation progressive du composé stoechiométrique en fusion, dans une enceinte close. </P><P>Procédé caractérisé notamment en ce que d'une part on ajoute à la charge de polycristal 20 une certaine quantité 21 de l'élément peu volatile du composé, ce qui facilite la mise en fusion des matériaux, et d'autre part on ajoute, au point de température inférieure de l'enceinte, la quantité correspondante 15 de l'élément volatile de sorte que les proportions stoechiométriques soient respectées. </P><P>Application à la fabrication de l'arséniure de gallium.</P>
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