| 发明名称 |
METODO PER FABBRICARE EPITASSIALMENTE UN DISPOSITIVO SEMICONDUTTORE PRESENTANTE UNA STRUTTURA A PIU' STRATI E APPLICAZIONE DI TALE METODO. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT7925506(D0) |
申请公布日期 |
1979.09.05 |
| 申请号 |
IT19790025506 |
申请日期 |
1979.09.05 |
| 申请人 |
N.V. PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN |
发明人 |
VARON JACQUES JEAN |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/208;H01L29/04;H01L29/205;H01L29/225;H01L33/00;H01L33/16;H01S5/00;H01S5/042 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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