MANUFACTURE OF JUNCTIONNTYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR,申请号JP19780017168-传众专利搜索

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发明名称	MANUFACTURE OF JUNCTIONNTYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号	JPS54109790(A)	申请公布日期	1979.08.28
申请号	JP19780017168	申请日期	1978.02.16
申请人	NIPPON ELECTRIC CO	发明人	OGAWA YOSHITO
分类号	H01L29/80;H01L21/22;H01L21/337;H01L29/10;H01L29/808	主分类号	H01L29/80
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