发明名称 GASSPHASE CRYSTAL GROWTH METHOD FOR MULTIPLE SEMICONDUCTOR
摘要
申请公布号 JPS54102967(A) 申请公布日期 1979.08.13
申请号 JP19780010121 申请日期 1978.01.31
申请人 FUJITSU LTD 发明人 UEDA RIYUUICHI
分类号 C30B25/02;C30B29/46;H01L21/203;H01L21/363 主分类号 C30B25/02
代理机构 代理人
主权项
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