| 发明名称 |
GAAS EPITAXIAL VAPOR PHASE GROWTH METHOD |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS54102867(A) |
申请公布日期 |
1979.08.13 |
| 申请号 |
JP19780008346 |
申请日期 |
1978.01.30 |
| 申请人 |
TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO |
发明人 |
KOBAYASHI KENJI;KATOU SUSUMU |
| 分类号 |
C30B25/02;C30B29/40;C30B29/42;H01L21/205 |
主分类号 |
C30B25/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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