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L'invention concerne la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs. Pour réaliser des couches épitaxiales de composés ternaires et quaternaires, en définissant avec précision le rapport de concentration de deux éléments d'alliage dans le composé final, on charge des quantités prédéterminées des éléments d'alliage dans un même four, par exemple le four 5, et on chauffe ce four à une température telle que le faisceau atomique issu du four contienne les deux éléments d'alliage dans un rapport de flux prédéterminé. Application à la fabrication des diodes laser.
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