发明名称 ELEMENT DE CIRCUIT INTEGRE DESTINE AUX MEMOIRES BIPOLAIRES A ISOLEMENT LATERAL PAR OXYDE
摘要 <P>ELEMENT DE CIRCUIT INTEGRE ISOLE LATERALEMENT PAR OXYDE COMPRENANT UN TRANSISTOR ET UNE RESISTANCE EN SERIE AVEC LA BASE.</P><P>UN EMETTEUR DU TRANSISTOR SITUE, PAR RAPPORT AU CONTACT DE LA BASE, DU MEME COTE QU'UN PROLONGEMENT DE CETTE DERNIERE CONSTITUANT LA RESISTANCE, COMPREND DEUX ZONES SUPERFICIELLES DISTINCTES CONTIGUES A DES PAROIS LATERALES ISOLANTES OPPOSEES.</P><P>ELEMENT DESTINE, PAR ASSOCIATION AVEC UN AUTRE ELEMENT SENSIBLEMENT IDENTIQUE, A LA REALISATION DE CELLULES POINTS MEMOIRES.</P>
申请公布号 FR2413782(A1) 申请公布日期 1979.07.27
申请号 FR19770039795 申请日期 1977.12.30
申请人 RADIOTECHNIQUE COMPELEC 发明人 DIDIER GRENIER ET JEAN SEGUIN;SEGUIN JEAN
分类号 H01L29/73;G11C11/411;H01L21/331;H01L21/762;H01L21/822;H01L21/8222;H01L27/04;H01L27/07;H01L27/082;H01L27/10;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
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