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<P>L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>UN TRANSISTOR BIPOLAIRE COMPREND UNE REGION DE CONDUCTIVITE DE MEME TYPE QUE LE COLLECTEUR, MAIS AVEC UNE CONCENTRATION EN PORTEURS PLUS ELEVEE, QUI EST RELIEE DE MANIERE CONDUCTRICE AU COLLECTEUR ET QUI FORME UNE JONCTION AVEC UNE PARTIE NON ACTIVE DE LA BASE. IL EN RESULTE UN EFFET DE STABILISATION DU DISPOSITIF AUX HAUTES FREQUENCES.</P><P>L'INVENTION S'APPLIQUE A LA CONSTRUCTION DE CIRCUITS LOGIQUES.</P>
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