| 摘要 |
Un dispositif RAM comporte un reseau de cellules de memoire a transistor a double grille (110) auxquelles on accede par des lignes et des colonnes (120R et 120C) reliees a des decodeurs respectivement de ligne et de colonne. Une region de memoire de type P est situee sous la grille de colonne (122C), qui recoit des trous en fonction de la donnee d'entree pendant le cycle d'ecriture, pour la commande de l'ecoulement d'un courant d'electrons de sortie pendant le cycle de lecture qui suit. Les trous d'ecriture s'ecoulent du substrat (104) vers la region de memoire P pour inscrire un "l" lorsque la grille de ligne (122R) et la grille de colonne sont toutes les deux a un potentiel positif bas. Les trous d'ecriture sont pieges dans la region de memoire P lorsque la basse tension d'ecriture sur la grille de ligne est remplacee par une tension plus elevee de stockage. Pendant le cycle de lecture les deux grilles sont a un niveau eleve et un courant d'electrons s'ecoule de la source vers le drain le long d'un chemin continu conducteur d'electrons forme sous les deux grilles. La tension elevee de ligne provoque une conduction d'electrons sur la surface du substrat P (104), en-dessous de la grille de ligne, par l'etablissement d'une couche d'inversion de type N. La tension eleve de colonne, en combinaison avec la charge positive des trous d'ecriture, provoque l'ecoulement d'electrons de lecture en-dessous de la grille de colonne e travers un canal N interieur (138) adjacent a la region de memoire P. Le chemin conducteur de lecture situe entre la source (114) et le drain (116) est constitue par la couche d'inversion de ligne plus le canal N. La structure de charge stratifiee fonctionne comme une grille additionnelle au-dessous de la grille de colonne qui necessite des trous d'ecriture pieges afin de permettre un ecoulement d'electrons lorsque les grilles de ligne et de colonne sont activees pendant la lecture. |
