发明名称 |
METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR HETERO JUNCTION |
摘要 |
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申请公布号 |
JPS5493958(A) |
申请公布日期 |
1979.07.25 |
申请号 |
JP19780000208 |
申请日期 |
1978.01.06 |
申请人 |
KATOUDA TAKASHI |
发明人 |
KATOUDA TAKASHI;KISHI MASATO |
分类号 |
H01L21/20;H01L21/205;H01L27/146;H01L33/28;H01L33/30;H01L33/34 |
主分类号 |
H01L21/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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