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Halbleiter-Diode (1, 10) mit 3-Schichten-Struktur (2, 34; 12, 13, 14), deren mittlere Schicht (3; 13) so dünn gewählt ist, daß bei der gegebenen Dotierung dieser Schicht der genannte Bereich dieser Schicht schon ohne angelegte Spannung an freien Ladungsträgern verarmt ist. Bevorzugte Verwendung eine solchen Diode als Detektor und als modulierbare Lumineszenzdiode.
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