| 发明名称 |
Method of epitaxially growing a layer of silicon carbide on a seed by pyrolytic decomposition of hydrocarbons or mixtures of silanes and hydrocarbons |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3386866(A) |
申请公布日期 |
1968.06.04 |
| 申请号 |
US19650510276 |
申请日期 |
1965.11.29 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
EBERT EKKEHARD;SPIELMANN WERNER |
| 分类号 |
C01B31/36;C30B1/10;C30B25/02 |
主分类号 |
C01B31/36 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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