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发明名称
HALBLEITERANORDNUNG
摘要
A field-effect transistor device is provided having a relatively low "on" condition resistance between the source and drain terminals thereof by virtue of the geometrical design used.
申请公布号
DE2901510(A1)
申请公布日期
1979.07.19
申请号
DE19792901510
申请日期
1979.01.16
申请人
HONEYWELL INC.
发明人
E. HENDRICKSON,THOMAS
分类号
H01L29/80;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/808
主分类号
H01L29/80
代理机构
代理人
主权项
地址
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