发明名称 DIODES ECRETEUSES DE SURTENSION
摘要 <P>LA PRESENTE INVENTION CONCERNE DES DIODES ECRETEUSES DE SURTENSION.</P><P>CES DIODES COMPRENNENT PLUSIEURS PASTILLES DIODES ELEMENTAIRES 10 ET 11 DISPOSEES DANS LE MEME SENS DE CONDUCTION, CHACUNE DE CES PASTILLES DIODES ETANT PRISES EN SANDWICH ENTRE DES BLOCS REPARTITEURS 12, 13, 14 ET 15 D'UN MATERIAU TRES BON CONDUCTEUR DE LA CHALEUR ET DE FORTE CAPACITE CALORIFIQUE PAR RAPPORT AU MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR DE LA DIODE.</P><P>APPLICATION A L'ECRETAGE DES SURTENSIONS DANS LES DISPOSITIFS TELEPHONIQUES.</P>
申请公布号 FR2412168(A1) 申请公布日期 1979.07.13
申请号 FR19770037857 申请日期 1977.12.15
申请人 SILICIUM SEMICONDUCTEUR 发明人
分类号 H01L23/373;H01L23/492;H01L25/07;(IPC1-7):01L25/04;01L29/86 主分类号 H01L23/373
代理机构 代理人
主权项
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