| 发明名称 |
PROCEDE DE CREATION, PAR SERIGRAPHIE, D'UN CONTACT A LA SURFACE D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF OBTENU PAR CE PROCEDE |
| 摘要 |
<P>L'INVENTION SE RAPPORTE A LA CREATION D'UN CONTACT A LA SURFACE D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR 40, PAR UN PROCEDE DE SERIGRAPHIE UTILISANT UN DEPOT DE PATE CONDUCTRICE 42 CONTENANT L'ADDITION D'UN ELEMENT DOPANT, SUSCEPTIBLE D'AUGMENTER LA CONCENTRATION D'IMPURETES EN SURFACE, AU COURS DU TRAITEMENT DE VITRIFICATION DE LADITE PATE.</P><P>SELON L'INVENTION LE PROCEDE COMPORTE UN SECOND DEPOT DE PATE CONDUCTRICE 45A, 45B, LOCALISE AUX SEULS EMPLACEMENTS PREVUS POUR LE SOUDAGE D'UNE CONNEXION 47, LA PATE DUDIT SECOND DEPOT ETANT DEPOURVUE DE L'ELEMENT DOPANT.</P><P>APPLICATION AUX DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS EN GENERAL ET AUX PILES SOLAIRES EN PARTICULIER.</P> |
| 申请公布号 |
FR2412164(A1) |
申请公布日期 |
1979.07.13 |
| 申请号 |
FR19770037517 |
申请日期 |
1977.12.13 |
| 申请人 |
RADIOTECHNIQUE COMPELEC |
发明人 |
DANIEL DIGUET, GERARD ANDRE DAVID ET PIERRE AUBRIL |
| 分类号 |
H01L31/04;H01L21/283;H01L21/288;H01L21/60;H01L31/0224 |
主分类号 |
H01L31/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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