Method for fabricating a semiconductor structure including active devices and resistive regions.

摘要

Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, die neben aktiven Bauelementen Widerstandsgebiete enthält, erfolgt die Bildung der Widerstandsgebiete mittels Ionenimplantation nach der Belegung der Halbleiterschicht mit einer Diffusionsquellschicht für erste Dotierungsgebiete der aktiven, Bauelemente, z. B. nach der Basisbelegung, aber vor dem zugehörigen Hochtemperaturschritt. z. B. Basis-Eintreibschritt. Die Temperung der ionenimplantierten Widerstandsgebiete erfolgt dann unter Ausnutzung der für die Bildung weiterer Dotierungsgebiete der aktiven Bauelemente, z. B. Emittergebiete, angewendeten Hochtemperaturbehandlung.