发明名称 Halbleiterbestueckte phasenempfindliche Schaltung zum Umformen von Wechselstrom in Gleichstrom durch Transistoren,und Dioden mit hohem Quellwiderstand und geringem Nullpunkteffekt
摘要
申请公布号 DE1538203(A1) 申请公布日期 1969.06.26
申请号 DE19631538203 申请日期 1963.08.03
申请人 VEB VAKUTRONIK,WISSENSCHAFTLICHER INDUSTRIEBETRIEB DRESDEN 发明人 GUENTER DOERFEL,DIPL.-ING.
分类号 H03F3/387 主分类号 H03F3/387
代理机构 代理人
主权项
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