发明名称 |
PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE DI UNA STRUTTURA COMPLEMENTARE DI TRANSISTORE AD EFFETTO DI CAMPO A SOGLIA ISOLATA |
摘要 |
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申请公布号 |
IT1032952(B) |
申请公布日期 |
1979.06.20 |
申请号 |
IT19750068320 |
申请日期 |
1975.05.21 |
申请人 |
FAIRCHILD CAMERA AND INSTRUMENT CORP |
发明人 |
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分类号 |
H01L27/092;H01L21/00;H01L21/316;H01L21/762;H01L21/8238;H01L29/00;H01L29/78;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L27/092 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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