PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE DI UNA MEMORIA A SOLA LETTURA COMPRENDENTE ELEMENTI SEMICONDUTTORI AD OSSIDO METALLLICO,申请号IT19750068156-传众专利搜索

发明名称	PROCEDIMENTO PER LA FABBRICAZIONE DI UNA MEMORIA A SOLA LETTURA COMPRENDENTE ELEMENTI SEMICONDUTTORI AD OSSIDO METALLLICO
摘要
申请公布号	IT1032824(B)	申请公布日期	1979.06.20
申请号	IT19750068156	申请日期	1975.05.06
申请人	WESTERN ELECTRIC CO INC	发明人
分类号	G11C17/00;G11C17/08;G11C17/12;H01L21/8246;H01L27/112;(IPC1-7):G11C/	主分类号	G11C17/00
代理机构		代理人
主权项
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