CONFIGURATIONS DE CELLULES DE MEMOIRE SUPRACONDUCTRICES PERMETTANT D'EVITER LE PASSAGE A TORT D'UN COURANT DE DEMI-SELECTION DANS LES CELLULES NON SELECTIONNEES

摘要

CELLULES DE MEMOIRES SELECTIONNEES PAR DEMI-COURANT.UN DISPOSITIF COMMUTABLEJ5 EST MONTE EN SERIE AVEC CHAQUE CELLULEA-D. UN CHEMIN DE COURANT21 PERMET DE SHUNTER CE DISPOSITIFJ5 TANDIS QU'UNE PARTIE PEUT ETRE COUPLEE ELECTROMAGNETIQUEMENT AVEC LE DISPOSITIF COMMANDABLEJ1 DE CHAQUE CELLULE.UTILISABLE POUR LA REALISATION DE MEMOIRES NON DESTRUCTIVES A EFFET JOSEPHSON.