发明名称 Ion source, in particular for an ion implantation device.
摘要 L'invention a pour objet une source d'ions, notamment pour implanteur ionique. La source d'ions est caractérisée en ce que les amenées de courant (14) sont constituées par un tube métallique (24) realisé en un métal autre que le cuivre; à l'intérieur de ce tube est disposé un conducteur en cuivre (26). Application à la réalisation d'implanteurs ioniques notamment pour des applications aux semiconducteurs.
申请公布号 EP0002406(A1) 申请公布日期 1979.06.13
申请号 EP19780400190 申请日期 1978.11.17
申请人 ANVAR AGENCE NATIONALE DE VALORISATION DE LA RECHERCHE 发明人 CAMPLAN, JEAN;CHAUMONT, JACQUES;MEUNIER, ROBERT
分类号 H01J27/02;H01J27/08;H01J37/08;H01J37/317;H01L21/265;(IPC1-7):H01J37/08;H01J27/00 主分类号 H01J27/02
代理机构 代理人
主权项
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