| 主权项 |
1﹒一侦检,计数或者测定辐射之方法,包括之步维骤以一高剂量之中子或电子照射一含有单一置换之顺性氮的钻石,将被照射之钻石曝露于核辐射以造成电子或电洞被捕捉在钻石结晶构造内之晶格缺陷中,加热此钻石以使之发光且利用冷光作为侦检,计算或测定核辐射之工具。Z.一依据申请专利范围第l项之方法,其中该中子或电子之剂量在I0'2至20"质点:平方公分之范围内。3﹒一依据申请专利范围第l项之方法,其中该中子或电于之剂量在l0。。至10。'质点/平方公分之范围内。4 一依据申请专利范围第l项之方法,其中该钻石系由加热至高于周围温度且低于5Oo"e之一温度而致使发光。5﹒一依据申请专利范围第1项之方法,其中该钻石保由加热至一在200至sO@"e范围内之温度而致使发光。n﹒一依据中请专利范围第l项之方法,其中该钻石保由加热至一在250至jOo"e范围内之温度而致使发光。7﹒一依据申请专利范围第l项之方法,其中该欲被侦检,计数或以其他方式测定之核辐射系择自于x一射线,a质点,质子,中心,电子和7射线。8﹒一依据申请专利范围第l项之方法,其中该单一置换顺磁性氮系以低于150ppm之量存在。9一依据申请专利范围第I项之方法,ft-中该钻石也含有﹒l至lOppm范围内之棚。10﹒一依据申请专利范围第9项之方法,其中该硼系以低于5ppm之量存在。 |
