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发明名称 Gate controlled bidirectional semiconductor switching device having two base regions each having a different depth from an adjacent surface
摘要
申请公布号 US4157562(A) 申请公布日期 1979.06.05
申请号 US19770842002 申请日期 1977.10.13
申请人 BELL TELEPHONE LABORATORIES INC;WESTERN ELECTRIC CO INC 发明人 D'ALTROY, FREDERICK A;HARRINGTON, DANIEL J;MILLER, GERALD W
分类号 H01L29/06;H01L29/747;(IPC1-7):H01L29/74 主分类号 H01L29/06
代理机构 代理人
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