| 发明名称 |
PROCEDIMENTO PER LA PRODUZIONE DI DISPOSITIVI A SEMICONDUTTORE COME CIRCUITI INTEGRATI E TRANSISTORI AD EFFETTO DI CAMPO SU SILICIO MONOCRI STALLINO |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
IT7949318(D0) |
申请公布日期 |
1979.06.05 |
| 申请号 |
IT19790049318 |
申请日期 |
1979.06.05 |
| 申请人 |
ROCKWELL INTERNATIONAL CORPORATION |
发明人 |
|
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/60;H01L21/8234;H01L21/8247;H01L23/52;H01L27/088;H01L27/112;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H05K/ |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
