| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Faujasit mit hohem Siliciumdioxydgehalt |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1951907(A1) |
申请公布日期 |
1970.11.19 |
| 申请号 |
DE19691951907 |
申请日期 |
1969.10.15 |
| 申请人 |
GRACE W R & CO |
发明人 |
VANCE MCDANIEL CARL;CLARKE DUECKER HEYMAN |
| 分类号 |
C01B39/20;C01B13/00;C01B33/00;C01B33/26;(IPC1-7):C01B33/00 |
主分类号 |
C01B39/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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