| 发明名称 |
Als Thyristor ausgebildetes Halbleiterbauelement mt profilierter Randzone |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1539636(B1) |
申请公布日期 |
1971.01.14 |
| 申请号 |
DE19661539636 |
申请日期 |
1966.03.23 |
| 申请人 |
ASEA AB |
发明人 |
EDQVIST OLLE;SVEDBERG PER;VEDIN BENGT-ARNE |
| 分类号 |
H01L29/00;H01L29/06;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L29/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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