| 发明名称 |
Method of fabricating an MNOS memory device |
| 摘要 |
A method for fabricating a variable threshold IGFET free of parasitic effects and the "floating gate" effect.
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| 申请公布号 |
US4153984(A) |
申请公布日期 |
1979.05.15 |
| 申请号 |
US19770818189 |
申请日期 |
1977.07.22 |
| 申请人 |
NITRON CORP |
发明人 |
HSIA, YUKUN |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/792;(IPC1-7):B01J17/00 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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