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L'invention concerne un procédé d'implantation d'ions, permettant d'éviter l'accumulation de charge. Une mince couche conductrice est formée en contact avec la couche isolante sur un substrat semi-conducteur, avant l'opération d'implantation d'ions. Les ions sont implantés dans le substrat à travers la mince couche conductrice. Cette mince couche, en contact avec un support dans un appareil d'implantation, permet d'éliminer toutes les charges qui tendent à s'accumuler. L'invention s'applique notamment à la fabrication des composants semi-conducteurs MOS et CMOS.
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