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<P>L'invention concerne un procédé et un appareil d'établissement d'une connexion électrique avec une plaquette semiconductrice, à travers une couche isolante. </P><P>Une décharge électrique est appliquée à une plaquette montée dans un support. Cette décharge forme un canal conducteur à partir de la région conductnce, et à travers la couche isolante. Ce canal conducteur présente un circuit d'impédance relativement basse permettant d'éliminer les électrons qui sont injectés pendant certaines opérations de traitement telles que l'exposition à un faisceau d'électrons. </P><P>L'invention s'applique notamment à la fabrication des composants MOS.</P>
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