| 主权项 |
1.一种光激升式雷射包括:(a)产生光激升作用辐射之一雷射二极体行列,激升作用辐射具有约3nm至约15nm宽之频带宽度,及决升作用辐射之强度实际均匀分布在此频带宽度上;及(b)具有接收雷射二极体行列之频带宽度内辐射之一吸收带之一雷射物料。2.根据申请专利范围第1项之光激升式雷射,其中雷射二极体行列包括多値雷射二极体,雷射二极体产生实际较雷射物料之吸收带为宽之一光谱带之光激升作用辐射。3.根据申请专利范围第1项之光激升式雷射,其中雷射二极体行列包括至少二雷射二极体。4.根据申请专利范围第1项之光激升式雷射,进一步包括将来自雷射二极体行列之光聚焦在雷射物料之聚焦装置,及修正来自雷射物料之雷射光频率之一非线性光学元件。5.根据申请专利范围第1项之光激升式雷射,其中雷射物料为固体。6.根据申请专利范围第1项之光激升式雷射,其中雷射二极体行列包括:(a)构成一活性装置之至少一个层;及(b)顺向偏压活性装置之装置,顺向偏压装置包括多値长形条,每一条具有限制流至活性装置之多个条区之电流之不同宽度,活性装置中各条区发射且具有约5nm至约15nm频带宽度之激升作用辐射。7.根据申请专利范围第6项之光激升式雷射,其中活性装置之每一条区发射与每一相邻条区相差达约1nm之激升作用辐射。8.根据申请专利范围第1项之光激升式雷射,其中雷射之极体行列包括:(a)构成活性装置之至少一个层,活性装置层之厚度成实际线性配置变化,以变化所发射之光之波长;及(b)倾向偏压活性装置之装置,倾向偏压装置包括限制流至活性装置中多个条区之电流之多个长形条,活性装置中各条区发射约3nm至约12nm频带宽度之激升作用辐射。9.根据申请专利范围第8项之光激升式雷射,其中活性层之与光发射方向成直交之断面为大致楔形。10. 根据申请专利范围第9项之光激升式雷射,其中自活性装置发射之光之频带宽度自约5nm至约12nm宽。11. 根据申请专利范围第9项之光激升式雷射,其中活性装置层厚度自约20A至约200A。12. 根据申请专利范围第9项之光激升式雷射,其中活性装置层厚度自约50A至约70A。13. 根据申请专利范围第9项之光激升式雷射,其中活性装置之每一条区之厚度与任一相邻条区相差达约2A。14. 根据申请专利范围第1项之光激升式雷射,其中雷射二极体行列包括:(a)构成活性装置之至少一个层,活性装置包含式式中Z値少于约.15 ;及(b)倾向偏压活性装置之装置,顺向偏压装置包括限制流至活性装置之电流之多个长形条。15. 根据申请专利范围第14项之光激升式雷射,其中活性装置之每一条区之Z値与任一相邻条区相差达约.001,及其中Z値为约.10至约.05。16. 根据申请专利范围第14项之光激升式雷射,其中式中Z値恒定于约.07,活性装置包括合并之AlGaAs及一种掺杂剂,活性装置之每一条区中掺杂剂浓度小于约401018/cm3。17. 根据申请专利范围第16项之光激升式雷射,其中活性装置之每一条区之掺杂剂浓度与任一相邻条区相差达约.31018/cm3,活性装置中浓度自约 41018/Cm3 至约71018/cm3。18. 根据申请专利范围第16项之光激升式雷射,其中掺杂剂为n-型掺杂剂及p-型掺杂剂中之任一种或二者之化合物。19. 根据申请专利范围第18项之光激升式雷射,其中掺杂剂选自镁,锌,镉,铍,碳,矽,锗及鍚或各物之化合物之p-型掺杂剂。20. 根据申请专利范围第18项之光激升式雷射,其中掺维剂选自蹄,晒,硫,矽,锗,鍚及碳或各物之化合物之n-型掺杂剂。21. 根据申请专利范围第1项之光激升式雷射,其中雷射二极体行列包括:(a)构成活性装置之至少一个层;(b)倾向偏压活装置之装置,顺向偏压装置包括限制流至活性装置中多个条区之电流之多个长形条;及(c)施加不同温度于每一条区之温度梯度装置。22. 根据申请专利范围第21项之光激升式雷射,其中活性装置之每一条区具有温度梯度装置加于其上之与任一相邻条区相差达约3℃之温度,温度梯度自约8℃至约36℃。23. 根据申请专利范围第1项之光激升式雷射,其中雷射二极体行列包括多个活性层,每一活性层产生在约3nm至约l2nm宽频带宽度内之激升作用辐射。24. 根据申请专利范围第1项之光激升式雷射,其中雷射二极体行列包括多个分层式活性装置,每一活性层包含式Al2G21-2As,每一活性装置之Z値与任一相邻活性层相差达约.001,及式中之Z値小于约.10。25. 根据申请专利范围第24项之光激升式雷射,其中Z値恒定为约.07及每一活性层包括AlGaAs与一种掺杂济,每一活性层中掺杂剂浓度与任一相邻活性层之浓度不同, 掺杂剂浓度为约 31018/cm3 至约81018/cm3。26. 根据申请专利范围第23项之光激升式电射,其中每一活性层之厚度与任一相邻活性层之厚度不同,及其中厚度范围为自约40A至约100A。27. 根据申请专利范围第1项之光激升式雷射,其中雷射二极体行列包括至少二雷射二极体行列,各雷射二极体行列产生实际宽于雷射物料之吸收带之一光谱带之光激升作用辐射。图示简单说明:图1为本发明之一种具体实例之概图。图2a为一传统式二极体雷射之发射光谱图。图2b为适于实施本发明之包括二条之第一种二极体行列之发射光谱图。图2c为适于实施本发明之包括十一个条之第二种二极体行列之发射光谱图,图3为适于实施本发明之一种雷射二极体行列之透视图。图4为适于实施本发明之另一种雷射二极体行列之透视图。图5为适于实施本发明之再另一种雷射二极体行列之透视图。图6a为适于实施本发明之再另一种雷射二极体行列之部份切除透视图。图6b为图6a所示雷射二极体行列之温度与位置对照图。图7为适于实施本发明之再另一种雷射二极体行列之透视图。图8为适于实施本发明之再另一种雷射二极体行列之透视图。图9为适于实施本发明之再另一种雷射二极体行列之透视图。图10为适于实施本发明之再另一种雷射二极体行列之透视图。图11为适于实施本发明之再另一种雷射二极体行列之透视图。 |
