Integrated semiconductor circuit for a small-sized structural element, and method for its production.

摘要

Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung für eine Bauelementstrucktur mit kleinem seitlichen Basis-Emitterabstand sowie entsprechend aufgebaute Transistorstrucktur. In einem Silicium-Halbleiterkörper werden gegeneinander durch dielektrische Gebiete (22) isolierte Halbleiterbereiche abgegrenzt, in denen durch entsprechende Dotierungsschritte Transistorstruckturen mit Basis-, Emitterund Kollektoranschlußgebieten (26, 36, 38) vorgesehen werden. Ein kleiner Basis-Emitterabstand wird dadurch erzielt, daß als Kontaktbereich (40) zum Basisgebiet (26) ein den Emitterkontakt (44) umschließendes dotiertes polykristallines Siliciumgebiet auf der Halbleiteroberfläche vorgesehen wird. Eine weitere Flächenreduzierung ergibt sich daraus, daß das Basisgebiet (26) seitlich unmittelbar von dielektrischen Isolationsgebieten (22, 20) begrenzt wird.