Process for forming thin film patterns by use of lift-off processing.

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen eines Dünnfilmmusters auf eine Unterlage. Bei dem Verfahren wird eine Schicht aus einem Positivphotoresist (10) auf eine Halbleiterunterlage (11) aufgetragen und durch Erhitzen teilgehärtet, wobei die der Unterlage anliegende Oberfläche der Resistschicht auf einer niedrigeren Temperatur gehalten wird als die der Unterlage abgewandte Oberfläche. Dadurch wird erreicht, daß die der Unterlage anliegende Oberfläche weniger stark gehärtet wird als die der Unterlage abgewandte Oberfläche der Resistschicht. Nach dem bildmäßigen Belichten wird die Photoresistschicht entwickelt unter Ausbildung von Öffnungen (15) in derselben, die aufgrund der unterschiedlichen Härtung der Schicht an der der Unterlage anliegenden Oberfläche weiter sind als an der der Unterlage abgewandten Oberfläche, wodurch die für das nachfolgende Abhebeverfahren erforderliche negative Steigung (16) oder der Überhang der Lift-Off Maske erhalten wird. Schließlich wird ein Dünnfilm aus Metall (17) auf der Unterlage unter Verwendung der Photoresistmaske als Abscheidungsmaske abgeschieden und die restliche Photoresistschicht mit der sie bedeckenden Metallschicht entfernt unter Erhalt des gewünschten Dünnfilmmusters (17) auf der Halbleiterunterlage.