| 摘要 |
<P>L'invention concerne une cellule de mémoire. </P><P>La cellule est constituée par un unique transistor à effet de champ à porte isolée qui comporte, formés sur un substrat 12, une source 15, un drain 11 et une électrode de porte 14 et un isolant de porte 18, 20. La cellule est programmee par application de tensions appropriées pour que certains des électrons qui s'écoulent de la source au drain acquièrent une énergie suffisante pour être injectés et piégés dans l'isolant de porte. Les électrons piégés provoquent un changement de la caractéristique intensité-tension du transistor qui peut être facilement détecté en inversant, pour la lecture, les polarités de la source et du drain. </P><P>Application aux mémoires inaltérables, aux mémoires inaltérables programmables et aux mémoires inaltérables programmables effaçables.</P>
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