发明名称 PROCESS AND INSTALLATION FOR PRODUCING SILICON CARBIDE WITH A VERY HIGH PURITY
摘要 Poudre de tres haute purete de carbure de silicium du domaine submicronique, qui peut etre utilisee comme materiel de frittage pour la production d'articles faconnes. La preparation de cette poudre de carbure de silicum peut se realiser par passage d'alcoylsilanes en phase gazeuse et scission chimique de l'alcoylsilane a haute temperature. Un tel procede s'effectue en particulier par passage des alcoylsilanes a travers un reacteur a ecoulement; lors de ce passage l'alcoylsilane gazeifie est chauffe jusqu'a un domaine de temperature compris entre 450 C et la temperature telle qu'elle se produit dans un bruleur a plasma, pour obtenir ainsi la scission thermique, le produit pulverulent obtenu est ensuite collecte dans une chambre de precipitation. Un appareillage permettant d'obtenir la poudre de carbure de silicium comprend: une conduite en graphite (1) avec entree conique et qui est entouree d'un isolant thermique, un dispositif de refroidissement (5) dispose a l'extremite de la conduite en graphite, un dispositif refroidi a l'eau permettant d'introduire le courant gazeux par un injecteur central et un injecteur circulaire (6) et un dispositif de precipitation de la poudre (7).
申请公布号 WO7900178(A1) 申请公布日期 1979.04.05
申请号 WO1978EP00016 申请日期 1978.10.04
申请人 CARBORUNDUM CO;BOECKER W 发明人 BOECKER W
分类号 C01B31/36;C04B35/571;C04B35/626;(IPC1-7):01B31/36;04B35/56 主分类号 C01B31/36
代理机构 代理人
主权项
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