Integrated semiconductor circuit.

摘要

Planare integrierte Halbleiterschaltung, bei der das Layout der Verdrahtungskanäle auf der Halbeiteroberfläche unabhängig ist von dem Layout der aktiven Schaltkreise und Bauelemente innerhalb des Halbleitersubstrats. Auf diese Weise kann die dichte Anordnung und/oder die Unterbringung der Verdrahtungskanäle auf der Oberfläche des Halbleiterplättchens so verändert werden, daß dadurch die Ausnutzbarkeit der Verdrahtungskanäle erhöht wird.